典型半导体激光器的输出光功率与正向输入电流之间的关系下图所示：
图 半导体激光器的输出功率和电流关系曲线
这个激光器的阈值电流是75 mA。在阈值电流以下，随驱动电流的增加输出光功率也非常缓慢的增加。这是因为在复合层中由于自发辐射引起的非相干辐射所致。当电流超过阈值电流时，由光谱测量显示，其输出线宽迅速变窄。对于绝大多数激光器，阈值电流在5 mA到250mA之间。在阈值状态下，电压为1.2 v。2 v。正向电流随激光器电压的增加而迅速增加。超过阈值后，电压只要略微增加一点就可以使电流到达预定的工作点。连续工作的半导体激光器(或连续波激光器，CW，continuous wave)输出功率的典型值为1 mW一10 mW。低占空比的脉冲激光器可以在很大的峰值功率下安全工作，但是连续波激光器可以以很快的速度开关，所以对于通信来说连续波激光器更为有用。工作电流一般是在阈值电流以上20 mA～40 mA。如果工作电流超过制造商建议的工作电流，将会缩短激光器的寿命。
半导体激光器比发光二极管有更敏感的温度特性。当温度增加时，激光器增益降低，而为了使振荡器工作需要更大的电流，也就是说，阈值电流变得更大了(增长系数为1.5%/)℃。导致这种效应的原因可以解释为：由于发热在，n区产生了空穴，并且在p区产生了电子。这些自由电荷与自由电子和自由空穴在有源区以外复合，减少了到达有源区的电荷，也就减少了能产生受激辐射和增益的电荷数量。另外，有源层中发热生成的电子和空穴将产生非辐射性复合，降低了粒子数反转状态，同样会使增益降低以及阈值电流增加。
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